从市场渠道获悉，2026年3月31日，存储芯片制造商铠侠（Kioxia）向客户发布最新停产通知，宣布将逐步退出传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND闪存市场。

此次停产涉及的产品包括基于32纳米、24纳米、15纳米制程工艺的浮栅式2D NAND，以及采用第三代BiCS架构的3D NAND闪存。这些产品涵盖了SLC（单层单元）、MLC（多层单元）和TLC（三层单元）等主流存储单元类型，产品形态包括裸晶圆、BGA封装、TSOP封装、eMMC、UFS以及普通SD卡。

根据通知安排，客户提交最终采购预测的截止日期为2026年9月30日，最后下单期限为该日期前，而所有相关产品的最终出货时间将持续至2028年12月31日。这意味着到2029年，铠侠将正式停止2D NAND闪存产品的供应，全面退出该市场。此举也标志着由东芝（铠侠的前身）于1987年首次量产的平面NAND闪存架构，在约41年后，其生命周期将由继任企业正式终结。

行业分析指出，铠侠逐步淘汰2D NAND闪存产品线的决策主要基于技术演进与市场需求变化。随着NAND闪存技术向3D堆叠架构快速演进，与目前主流的TLC和QLC（四层单元）架构相比，MLC等传统产品的单位产值较低。在当前人工智能热潮推动高性能存储需求显著上升的背景下，主要存储原厂倾向于将有限的洁净室产能和资源集中于更具规模经济效应和资本效率的TLC、QLC及DRAM产品上。因此，将部分MLC及更早期的产品推进至生命周期终结（EOL）阶段成为行业趋势。

目前，传统的2D NAND闪存主要应用于车载设备、消费电子、嵌入式系统、工业工控等存量市场，以及部分生命周期较长的特种存储设备。有分析指出，铠侠此次停产决策，反映了半导体行业在向高密度、低成本技术演进过程中，对传统但关键的应用场景支持方式正在发生结构性转变。

值得一提的是，此次全面停产是铠侠近期一系列产品线调整的最新步骤。早在2026年3月中旬，铠侠就已发布通知，宣布受限于产能与基材供应，将停止生产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的8Gb至64Gb容量MLC NAND闪存产品。TSOP封装主要用于低容量MLC NAND存储器，广泛应用于工业控制、车载设备、医疗设备及网络通信等对可靠性和长寿命有要求的领域。该部分产品的最后订单截止日期为2026年9月中旬，最终出货日期为2027年3月15日。